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K-Cellシリーズ

Si用高温Kセル
Si用高温Kセル 

EBガンでは従来コントロール出来なかった高精度の薄膜制御が可能です。

窒素用ラジカルセル
窒素用ラジカルセル 

先端部に設けられたイオン除去機構(磁場方式)により、イオン除去が可能です。

デュアルセル
デュアルセル 

1つセルポートで2つの材料を使用できます。

特殊横型Kセル
特殊横型Kセル 

蒸発源を横置きしたい場合に適しています。

スーパーミニセル
スーパーミニセル 

分析装置などに最適な超小型Kセルです。

コンビネーションセル
コンビネーションセル 

1つのポートで、固体原料とガス原料を供給できる蒸発源です。

光加熱セル
光加熱セル 

原料を急速昇降温法で蒸発・昇華させ、分子線を発生させます。

ガスセル
ガスセル 

導入された各種ガス原料より分子線を発生させます。

スポットビームセル
スポットビームセル 

特別に原料ビームを絞って使用したい場合に適しています。

2000度対応高温セル
2000℃対応セル 

高融点金属の蒸発源として最適な高温Kセルです。2000℃までの加熱が可能です。

変換シャッター
変換シャッター 

装置取付ポートがICF114の時、シャッター無ICF70サイズのKセルにシャッター機構を付加することが出来ます。