MBE/MOCVD TECHNOLOGY
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K-Cellシリーズ
Si用高温Kセル(THKC-1000H1)
特長
本製品は、世界で初めてSi用として開発されたKセルであり、EBガンでは従来コントロールできなかった高精度(0.005〜0.5Å/s)の膜厚制御が可能です。
仕様
最高加熱温度
ルツボ材質
取り付けフランジサイズ
・・・ 1600℃
・・・ 4cc
・・・ ICF70以上
データ例(Si用高温Kセル)
Si用Kセル温度と成長速度の関係
PLスペクトル
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