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SiC用超高温プロセス炉

SiC用超高温プロセス炉

特長

  • 6インチまで対応
  • 高温成長可能(MAX.2200℃)
  • 急速昇温可能(1000℃→2000℃まで1分以内)
  • カーボンフリー
  • 超高真空仕様(極低リークレート)
  • 完全自動化(プロセス、搬送)

仕様

  • 均熱領域
  • 最高加熱温度
  • 到達圧力
  • チャンバ構成
  • ・・・ 160mmΦ×65mmH
  • ・・・ MAX.2200℃
  • ・・・ 6.6×10-7Pa
  • ・・・ 2チャンバ構成(加熱室、導入室)

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