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SiC用超高温プロセス炉

SiC用超高温プロセス炉

特長

  • 6インチまで対応
  • 高温成長可能（MAX.2200℃）
  • 急速昇温可能（1000℃→2000℃まで1分以内）
  • カーボンフリー
  • 超高真空仕様（極低リークレート）
  • 完全自動化（プロセス、搬送）

仕様

  • 均熱領域
  • 最高加熱温度
  • 到達圧力
  • チャンバ構成
  • ・・・　160mmΦ×65mmH
  • ・・・　MAX.2200℃
  • ・・・　6.6×10-7Pa
  • ・・・　2チャンバ構成（加熱室、導入室）

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