MBE/MOCVD TECHNOLOGY

高温CVD装置

SiC用CVD装置（HTC3001)

仕様 リアクタ 投入室 基板サイズ 基板加熱 最高加熱温度 適用 ・・・　縦型石英製 ・・・　フェイスダウン ・・・　トランスファーロッド付 ・・・　Φ3インチ×1枚 ・・・　高周波加熱方式 ・・・　1800℃（放射温度計値） ・・・　SiCなど

オール・イン・ワンCVD装置

仕様 リアクタ 基板サイズ 基板加熱 最高加熱温度 フットプリント 適用 ・・・　横型石英製 ・・・　Φ2インチ×1枚 ・・・　高周波加熱方式 ・・・　1500℃（放射温度計値） ・・・　1.3×1.3m ・・・　Si,SiCなど

高温CVD装置（SH2001-HTA)

仕様 リアクタ 基板サイズ 基板加熱 最高加熱温度 適用 ・・・　横型ステンレス製 ・・・　フェイスダウン ・・・　Φ1インチ×1枚 ・・・　抵抗加熱方式 ・・・　1800℃（制御用熱電対値） ・・・　AlNなど