MBE/MOCVD TECHNOLOGY

液体原料供給MOCVD装置

小型研究用（MPC1100V)

仕様 リアクタ 基板サイズ 基板加熱 最高加熱温度 流量制御 気化方式 適用 ・・・　横型石英製 ・・・　Φ1インチ×1枚 ・・・　ランプ加熱方式 ・・・　800℃（制御用熱電対値） ・・・　液体マスフローコントローラ ・・・　熱式気化器 ・・・　酸化物など

研究用（MPC2100H)

仕様 リアクタ 投入室 基板サイズ 基板加熱 最高加熱温度 流量制御 気化方式 適用 ・・・　縦型ステンレス製 ・・・　トランスファーロッド付 ・・・　Φ2インチ×1枚 ・・・　抵抗加熱方式 ・・・　800℃（制御用熱電対値） ・・・　液体マスフローコントローラ ・・・　熱式気化器 ・・・　酸化物など

研究用・準生産用（MPC6100)

仕様 リアクタ 投入室 基板サイズ 基板加熱 最高加熱温度 流量制御 気化方式 適用 ・・・　縦型ステンレス製 ・・・　トランスファーロッド付 ・・・　Φ6インチ×1枚 ・・・　抵抗加熱方式 ・・・　800℃（制御用熱電対値） ・・・　液体マスフローコントローラ ・・・　熱式気化器 ・・・　PZT含む酸化物など