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MOCVD装置

結晶成長データ例


結晶膜厚均一性

基板上に形成される結晶の均一性は、リアクタ形状や基板加熱の均一性に影響を受けます。
Φ2"基板上では、±0.65％の膜厚均一性が得られています。(↓グラフ参照）

結晶膜厚均一性

結晶純度

結晶の純度は、装置の気密性や装置構成材料の影響を受けます。当社ではヒーター用部材等に脱ガスの少ない材料を用いて汚染を防いでいます。ノンドーブGaAs結晶の液体窒素温度(77K）でのホール測定結果は

キャリア電子密度:1.91×10-13cm-3
キャリア移動度　 :134,000cm2cm /V.S

と、高純度な結晶膜が形成されます。

ヘテロ界面急峻性

種類の異なった結晶境界面のダレを小さくするためには、ガス溜りのない構造と精密なガス制御技術が必要となります。GaAs基板上の単一量子井戸(SQW）構造でヘテロ界面の急峻性を評価しました。
透過電子顕微鏡（TEM)写真では500Å厚のAlGaAs結晶に挟まれた厚さ6Å、11Å、22Å、44Å、88Åの結晶が写っています。さらに、フォトルミネッセンス(PL)評価によるピークシフト量は、量子効果より求められる理論値と一致して、ヘテロ界面が良好なことがわかります。
PLスペクトル

PLスペクトル

 井戸幅に対するPLシフト

井戸幅に対するPLシフト