MBE/MOCVD TECHNOLOGY
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低圧RFスパッタ装置(HVS-02 / HVS-03)
特長
高真空対応のスパッタガンを用いることにより、10
-2
Pa台においても薄膜形成が可能です。
最高5元までのスパッタガンの設置が可能です。
仕様
成膜室チャンバ
低圧RFスパッタガン
RF制御電源
投入室
到達圧力
基板サイズ
基板加熱方式
基板加熱温度
基板回転機構
Z軸移動機構
ターゲットサイズ
回転シャッター機構
到達圧力
基板搬送
: 6.5×10
-6
Pa
: Φ2インチ×1枚(HVS-02)/Φ3インチ×1枚(HVS-03)
: 抵抗加熱方式
: MAX.700℃
: Max.20rpm
: ±20mm
: 2インチ
: 300W、13.56MHz、オートチューニング式
: 6.5×10
-5
Pa
: 手動トランスファーロッド方式
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