ＳｉＣ（炭化シリコン)用エピタキシャル 成膜装置です。 シミュレーションにより、最適化された サセプタ形状と２ゾーン高周波誘導加熱 方式により、基板温度分布の均一性に 優れています。 （※本装置はＮＥＤＯが委託している新機能素子 研究開発協会先進パワーデバイス研究所殿に 納入しました。） → |
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Ｎｅｗ Ｌｉｎｅ Ｕｐ New Products Line Up
ＳｉＣ（炭化シリコン)用エピタキシャル 成膜装置です。 シミュレーションにより、最適化された サセプタ形状と２ゾーン高周波誘導加熱 方式により、基板温度分布の均一性に 優れています。 （※本装置はＮＥＤＯが委託している新機能素子 研究開発協会先進パワーデバイス研究所殿に 納入しました。） → |
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| 仕様 | ||
| ■リアクタ部 | 到達圧力 | 1.3×10-5Ｐａ以下 |
| 圧力調整範囲 | 130ｐａ〜65kpa 常圧成長も可能 |
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| ■サセプタ部 | フェイスダウン方式 | |
| Ø3”基板×1枚対応 | ||
| 基板回転機構 | ||
| 基板昇降機構 | ||
| ■試料加熱部 | 高周波誘導加熱方式（2ゾーン加熱） | |
| 最高加熱温度 | 1800℃ | |
| 温度均一性 | 1700℃±10℃ （3インチ基板内） |
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| ■ロードロック部 | 到達圧力 | 1.3×10-5Ｐａ以下 |
| 基板搬送 | トランスファーロッド方式 | |
| グローブボックス付 | ||
| ■ガス供給部 | シリンダーキャビネット | |
| ■制御装置 | 自動成長用専用コンピュータ-システム | |
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