ＭＯＣＶＤ・ＭＢＥ とは？
| MOCVD SYSTEM Metal Organic Chemical Vapor Deposition SYSTEM |
| ＭＯＣＶＤ法は、常温、常圧で固体あるいは液状の有機金属原料を、ガス化して供給し、 昇温させた基板結晶上で熱分解、化学反応させて、その上に薄膜結晶をエピタキシャル成長 させる技術です。これは化学気相堆積法（ＣＶＤ法）を改善、高度化したものす。 一般のＣＶＤ法との大きな違いは 1. 原料に有機金属を用いている 2. 基板の温度を精度よく制御することが可能 3. 圧力・温度・ガス流量を個々に精度よく制御することが可能 |
| 当社のＭＯＣＶＤ装置の特徴 |
| 当社のＭＯＣＶＤ装置は次の特徴をもっています。 |
| 1. 当社の保有しているＭＢＥ装置、ＣＶＤ装置などの技術を融合させたシステムの構築が可能 |
| 2. 当社製の信頼性の高い真空ウェハ搬送ロボットを搭載したコンパクトな設計が可能 |
| 3. 基板加熱は均一性のよい抵抗加熱方式を採用（型式ＳＶ3001及び型式ＰＤ3013）している ため、ＲＦ加熱に比較してサセプタ形状の設計自由度が大きく、大面積化に適しています。 また、ステンレスチャンバにも対応可能で、安全性が向上。 ナイトライド系の高温成長にも対応しています。 |
| MBE SYSTEM Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ Ｓｙｓｔｅｍ |
| ＭＢＥ法は、超真空中で、結晶の構成元素をそれぞれ別々のルツボから蒸発させ、 分子線の形で昇温させた基板結晶上に供給し、その上に薄膜結晶をエピタキシャル成長させる 技術です。これは真空蒸着法を改善、高度化したものです。一般の真空蒸着との大きな違いは 1. 超高真空中（10-9Ｐａ）雰囲気を用いる 2. 基板の温度を精度よく制御することが可能 3. 蒸発源の温度を個々に精度よく制御することが可能 |
| 当社のＭＢＥ装置の特徴 |
| 当社のＭＢＥ装置は次の特徴をもっています。 |
| 1. 当社の保有しているＭＢＥ装置、ＣＶＤ装置などの技術を融合させたシステムの 構築が可能 |
| 2. 回転伸縮型アーム搬送機構の採用 ※信頼性の高い超高真空対応の回転伸縮型アーム機構を使用しているため、非常に コンパクトであり、マルチチャンバへの拡張が容易 |
| 3. 高品質な真空 ※真空チャンバを始め、Ｋセルや基板加熱機構などの真空中に入れる部品はすべて真空 ベーキング炉にて材料の脱ガス処理を行っています。この処理により、膜中に 取り込まれている不純物レベルが格段に低減することが報告されています。 |