K-CELL
series as effusion cells for MBE
Si用高温K-セル
THKC-1000H1
特徴
本製品は世界で初めて、Si用として開発されたKセルであり、EBガンでは、従来コントロールできなかった高精度(0.005〜0.5Å/s)の膜厚制御が可能です。
仕様
■最高加熱温度・・・・・・・・・・・1600℃
■ルツボ容量・・・・・・・・・・・・・・4cc
■取り付けフランジサイズ・・・ICF70以上
データ例
(Si用高温Kセル)
Si用Kセル温度と成長速度の関係
PLスペクトル
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E
pi
Q
uest,Inc.
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