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その他製品

低圧RFスパッタ装置（HVS-02 / HVS-03）

低圧RFスパッタ装置

特長

高真空対応のスパッタガンを用いることにより、10-2Pa台においても薄膜形成が可能です。
最高5元までのスパッタガンの設置が可能です。

仕様

  • 成膜室チャンバ





  • 低圧RFスパッタガン

  • RF制御電源
  • 投入室
  • 到達圧力
    基板サイズ
    基板加熱方式
    基板加熱温度
    基板回転機構
    Z軸移動機構
  • ターゲットサイズ
    回転シャッター機構
  • 到達圧力
    基板搬送
  • ： 6.5×10-6Pa
    ： Φ2インチ×1枚（HVS-02）/Φ3インチ×1枚（HVS-03)
    ： 抵抗加熱方式
    ： MAX.700℃
    ： Max.20rpm
    ： ±20mm
  • ： 2インチ

  • ： 300W、13.56MHz、オートチューニング式
  • ： 6.5×10-5Pa
    ： 手動トランスファーロッド方式
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